Модуль пам'ятi SO-DIMM DDR5 32GB/5600 Kingston Fury Impact PnP (KF556S40IB-32)

З чудовою швидкістю, функцією Plug N Play, подвоєним з 16 до 32 кількістю банків і подвоєною з 8 до 16 довжиною пакету Kingston FURY Impact DDR5 ідеально підходить для геймерів і ентузіастів, яким потрібна більш висока продуктивність на платформах наступного року. Збільшуючи швидкість, ємність та надійність, Kingston FURY Impact DDR5 пропонує цілий арсенал розширених функцій, таких як ECC на кристалі (ODECC) для підвищення стабільності на екстремальних швидкостях, два 32-бітових підканали для підвищення ефективності та інтегрована в модуль схема управління живленням (PMIC) , що забезпечує контроль та підстроювання напруг безпосередньо на модулі пам'яті. При грі в найекстремальніших умовах, при стрімінгу у форматі 4K і вище або при серйозній анімації та 3D-рендерингу, Kingston FURY Impact DDR5 – це наступне підвищення рівня, при якому ідеально поєднуються стиль та продуктивність. Крім того, Kingston FURY Impact DDR5 отримала сертифікат Intel XMP 3.0 Certified, що означає, що користувачі можуть розраховувати на простий, стабільний та сертифікований розгін. Пам'ять лінійки Kingston FURY Impact DDR5 забезпечена обмеженою довічною гарантією та легендарною надійністю Kingston. Особливості Kingston FURY Impact DDR5 • Вища продуктивність: При початковій швидкості передачі даних 4800 МТ/с пам'ять DDR5 на 50% швидше, ніж популярна DDR4-3200. • Підтримка автоматичного розгону Plug N Play Automatic Overclocking: Kingston FURY Impact DDR5 підтримує автоматичний розгін до максимальної частоти, зазначеної в специфікаціях. • Сертифікація Intel XMP 3.0: Підвищення продуктивності пам'яті із попередньо оптимізованими таймінгами, швидкістю та напругою живлення для розгону. • Нижче енергоспоживання, вища ефективність: Зниження тепловиділення та підвищення ефективності системи завдяки низькій напрузі живлення пам'яті Impact DDR5 1.1 Ст. • Підвищена стабільність при розгоні: Корекція помилок на кристалі (On-die ECC, ODECC) допомагає забезпечити цілісність даних під час розгону пам'яті для підвищення її продуктивності.